在存储技术发展过程中，半导体存储具有存取速度快、功耗低、体积小、可靠性高等优势，广泛应用在电子设备中，并且正逐步取代机械硬盘成为主流存储器。其中闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点，正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角。其技术的发展也是朝着不断增大单位面积存储容量的方向发展，由二维到三维，再到不断地增加堆栈层数。

在3D堆叠过程中需要先将多晶硅蚀刻掉，形成凹槽。目前多晶硅蚀刻液体系主要分为碱性或酸性体系。碱性体系对多晶硅的蚀刻存在蚀刻速率慢、硅晶面选择性、蚀刻过程中会生成丘状形貌增加表面粗糙度高等问题。酸性体系可很好的解决上述问题，然而酸性体系中的氢氟酸会优先蚀刻二氧化硅层，所以酸性体系提升氧化硅与多晶硅的选择比是亟待解决的问题。

多晶硅蚀刻液的制备方法：

分别称取各自用量的各个组分，然后将超纯水、氢氟酸、氧化性酸、两亲性离子液体依次加入容器内，充分搅拌溶解，最后过滤，即得所述多晶硅蚀刻液。

其中，所述过滤可采用0.1-0.5μm滤芯过滤。

本发明的多晶硅蚀刻液实施例和对比例的制备方法：

多晶硅蚀刻液实施例1-7包含的组分及摩尔比如表1所示，多晶硅蚀刻液对比例1-3包含的组分及摩尔比如表2所示。按照下表1和表2分别称取各自用量的各个组分，然后将超纯水、氢氟酸、氧化性酸、两亲性离子液体依次加入容器内，充分搅拌溶解，最后采用0.5μm滤芯过滤，即得所述多晶硅蚀刻液。

表1：多晶硅蚀刻液的实施例1-实施例7

表2：多晶硅蚀刻液制备的对比例1-对比例3

表3：测试数据

关于性能测试与说明：

将含有两亲性离子液体的多晶硅蚀刻液用于3D存储芯片中的方法：

将所述多晶硅蚀刻液引入蚀刻槽内，然后使用该蚀刻液在25℃下浸泡该3D存储芯片，浸泡时间为6min，将所述蚀刻后3D存储芯片放入超纯水中冲洗至少两次，每次不得少于30s，即完成处理得到蚀刻后3D存储芯片。

性能1表面张力的测试方法为：

采用上述方法处理完成后，采用芬兰Kibron公司生产的91免费短视频污污污在室温下分别对蚀刻液和经过0.5μm的滤芯过滤200次后的蚀刻液的表面张力进行测试，测试结果参见表3。

性能2蚀刻选择比测试方法为：

分别测定蚀刻液对氧化硅层以及多晶硅层的蚀刻速率，将氧化硅层蚀刻速率除以多晶硅层蚀刻速率，即可得蚀刻选择比。

在本发明中，使用的超纯水均为电阻至少为18MΩ的去离子水。

关于测试结果的分析说明：

基于表3可以看出，对比例1和实施例1的区别仅在于两亲性离子液体不同，其中，对比例1采用常规的N-乙基全氟辛基磺酰胺乙醇作为表面活性剂，导致表面张力增加，蚀刻选择比降低。对比例2未加入1,1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺酸亚胺锂，无法调节蚀刻速率。对比例3单独采用1,1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺酸亚胺锂作为表面活性剂，导致表面张力增加，蚀刻选择比降低，而本发明合成的离子液体同时具有多氟基团、环状结构、多羟基，能够显著降低表面张力，同时提高蚀刻选择比。

通过说明书附图做进一步对比说明：

对制备例1的两亲性离子液体进行红外测试，测试结果参见图1。

从图1可以看出，在3433cm-1处为-OH的伸缩振动峰，在3030 cm-1为甲基的伸缩振动吸收峰，在2980 cm-1，2845 cm-1处为亚甲基的不对称伸缩振动和对称伸缩振动，1431cm-1是亚甲基C-H的面内弯曲振动吸收峰，1378cm-1处的峰属于胺类C-N单键的伸缩振动吸收峰，1095 cm-1、1058 cm-1处的峰为S=O的不对称和对称的伸缩振动，综上说明已成功合成离子液体表面活性剂。